Аннотация:
Синтезированы направленно закристаллизованные монокристаллические эвтектики $InSb-MnSb$ и выполнены исследования их электрических свойств. Игольчатые включения с высоким аспектным соотношением ферромагнитного металла $MnSb$ располагаются параллельно в полупроводниковой матрице $InSb$. Температурные зависимости удельного сопротивления демонстрируют наличие высокой анизотропии электрических свойств в образцах с различной ориентацией направления электрического тока и игольчатых включений $MnSb$. При достаточно высокой эффективной концентрации основных носителей заряда (дырок) 7 · 1020 см−3 их подвижность достигает 70 см2 / (В · с). Удельное сопротивление игольчатых включений $MnSb$ ниже, чем в объемных кристаллах, что говорит об их более высоком кристаллическом совершенстве. Благодарности Работа выполнена при поддержке Министерства науки и образования Российской Федерации (г/з №0851–2020–0035) и в рамках реализации программы стратегического академического лидерства «Приоритет-2030». (Соглашение №075-15-2021-1213) в части получения и характеризации объектов исследования, РНФ (21-12-00254) в части изучения их электрических свойств.
