Аннотация:
Экспериментально исследуются ориентация нематика 5СВ на пленках аморфного кремния (a-Si), полученных магнетронным методом, и фотоёмкостные свойства структуры Si/нематик/ITO как прототипа оптически адресуемого жидкокристаллического модулятора света методом падения напряжения при её фотовозбуждении фокусированным лазерным излучением (He-Ne 0,6 мкм). Показано, что ориентация нематика 5СВ получается гомеотропной на плёнках a-Si, напыленных как на поверхность монокристаллического кремния, так и на поверхность окиси кремния. Установлено, что при магнетронном напылении плёнок a-Si, ZnO, Si3N4 с использованием масок, выполненных как из кремния, так и металлических, формируется однородная планарная ориентация нематика в виде полосы на той части поверхности подложки, которая в процессе напыления была под маской на некотором расстоянии от края маски. Предполагается, что планарная ориентация нематика формируется на плёнке, которая получилась в результате распыления материала под косым углом в микрозазор между подложкой и маской. Метод падения напряжения позволяет исследовать: (1) формирование обеднения поверхности кремния,(2) влияние на обеднение поверхности постоянного смещения и частоты управляющего напряжения, а также регистрировать наличие на поверхности кремния наноразмерной пленки a-Si, при этом тестирующее напряжение, в отличие от мостовых методов, может быть в широком диапазоне величин, включая напряжение, соответствующее порогу Фредерикса. Дана интерпретация разделения зависимостей падения напряжения от частоты на два диапазона: низкочастотный и высокочастотный соответственно, что связывается с процессами переноса и накопления ионных зарядов в слое жидкого кристалла. Показано согласие результатов экспериментов по методу порога исчезновения светочувствительности, в которых визуально регистрируется реакции жк на облучение структуры активным светом, и результатов по методу падения напряжения.
