Аннотация:
Выполнен расчет характеристик охраппой системы карбидокремпиевых 4H-SiC диодов Шоттки с использованием метода физического моделирования и установлены оптимальные конфигурации (уровни легировапия и толщипы эпитаксиального слоя 4H-SiC) структуры диода для получения высоких значений пробивного папряжепия. Установлено, что оптимальная структура диода Шоттки, пригодного для монтажа в современные малогабаритные металлополимерные корпуса (SOT, QFN), соответствует диоду с концентрацией доноров в эпитаксиальном слое 4H-SiC 3,75$\times10^{15}$ см$^{-3}$, толщиной слоя 18 мкм, и системой из шести охранных $р+$ колец и слоем JTE.
