Аннотация:
В работе исследуются высококачественные тонкие пленки (Cd$_{1-x-y}$Zn$_x$Mn$_y$)$_3$As$_2$$(x + y = 0.4; y = 0.04)$, полученные напылением на неподогреваемую кремниевую подложку $(T = 20 ^\circ$C). Измерена зависимость электропроводности от температуры в интервале от 10 К до 320 К. В области гелиевых температур определен диапазон реализации механизма прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка по Шкловскому – Эфросу. В плотности локализованных состояний вычислены радиус локализации носителей заряда, ширина кулоновской и жесткой щелей. Определены энергия оптической щели и ширина состояний хвоста валентной зоны.