RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Прикладная механика и техническая физика // Архив

Прикл. мех. техн. физ., 2019, том 60, выпуск 6, страницы 118–129 (Mi pmtf379)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Газоструйное осаждение алмаза на стальной поверхности, покрытой слоем WC–Cо или Mо

А. К. Ребровa, И. С. Батраевb, Т. Т. Бъядовскийa, Е. В. Гладкихc, А. С. Усейновc, М. Н. Хомяковd

a Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, 142190 Троицк, Россия
d Институт лазерной физики СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования процесса роста алмазных структур на стальных образцах с использованием промежуточных слоев из молибдена и карбида вольфрама, цементированного кобальтом. Промежуточные слои наносились с помощью метода детонационного распыления. Последующее осаждение алмазных пленок на покрытые стальные образцы осуществлялось с использованием газоструйного метода и специального термокаталитического реактора с протяженными активирующими поверхностями.
Для интенсификации процесса зародышеобразования на поверхности промежуточных слоев проводился предварительный засев образцов в коллоидном растворе, содержащем наноалмазы. Для получения информации о фазовом и структурном составе полученных образцов и о морфологии поверхности пленок использовались сканирующая электронная микроскопия, рамановская спектроскопия и рентгеновская дифракционная спектроскопия. Трибологические свойства изучались c помощью нанотвердомера, а также методом вдавливания по Роквеллу.

Ключевые слова: химическое газофазное осаждение, алмазное покрытие, детонационное напыление, промежуточные слои, механические измерения.

УДК: 53.043; 539.5

Поступила в редакцию: 27.05.2019
Исправленный вариант: 27.05.2019
Принята в печать: 27.05.2019

DOI: 10.15372/PMTF20190613


 Англоязычная версия: Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 2019, 60:6, 1077–1087

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024