Влияние присадки цезия на формирование инверсных заселенностей в рекомбинирующей литиевой плазме

Проведен численный анализ изменения во времени заселенностей уровней лития в рекомбинирующей $\mathrm{Li}-\mathrm{Cs}$-плазме. Учтено влияние легкоионизирующейся присадки цезия на заселенности уровней атомов лития как вследствие изменения основных параметров плазмы $Ne$ и $Te$, так и в результате реакций неупругих атомных соударений. Показано, что при введении присадки цезия оптимальной концентрации величина инверсной заселенности и коэффициент усиления для перехода $3s\to2p$ в литии повышаются на $1$–$2$ порядка и достигают значений ($\kappa\sim0,1$ см$^{-1}$), достаточных для реализации $\mathrm{Li}-\mathrm{Cs}$-лазера на этом переходе.