RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 4, страницы 931–934 (Mi qe10078)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Люминесценция кристалла пентафосфата неодима при возбуждении излучением люминесцентного диода

И. Исмаилов, Б. Халиков

Физико-технический институт АН ТаджССР, Душанбе

Аннотация: Сообщается о методике выращивания и некоторых физико-химических свойствах образцов пентафосфата неодима (NdP5O14), в которых люминесценция возбуждалась излучением электролюминесцентного диода на основе GaPxAs1–x с x=0,008 (λ ≈ 810 нм при 77 K). В интервале плотностей возбуждающего излучения 0,03–3,3 Вт/см3 зарегистрирован ряд характерных узких полос люминесценции ионов Nd3+ в области 900 и 1060 нм.

УДК: 535.37

PACS: 78.55.Hx

Поступила в редакцию: 16.10.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:4, 537–539


© МИАН, 2024