RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 770–774 (Mi qe10110)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Вынужденное рассеяние света в мезофазе смектического жидкого кристалла

Б. Я. Зельдович, Н. В. Табирян

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Для мезофазы смектического жидкого кристалла типа С (СЖК-С) обсуждается процесс вынужденного рассеяния (BP) света, т.е. процесс усиления слабого поля, сдвинутого по частоте относительно монохроматического сильного поля. Рассмотрены два механизма BP: нестационарный поворот С-директора и нестационарный прогрев слабо поглощающего СЖК-С интерферирующими полями, сопровождаемый температурным изменением угла наклона молекулярных осей по отношению к смектическим слоям. Расчет коэффициентов усиления дает весьма оптимистические оценки для возможности реализации обоих видов BP в СЖК-С. Обсуждается возможность обращения волнового фронта света на основе четырехволновых и ВР-нелинейностей СЖК-С.

УДК: 535.375. 5

PACS: 61.30.Gd, 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 08.08.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:4, 440–442

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024