О методике получения фоторезистивных решетчатых масок

Изложена методика получения фоторезистивных масок с заданным периодом и зазором между штрихами. Проведен анализ условий, определяющих время экспонирования, время проявления и концентрацию проявителя, необходимых для реализации маски с произвольной шириной зазора. Предлагаемая методика принципиально пригодна для создания масок с шириной зазора, равной ширине штриха для любого материала подложки. Показаны пределы применимости методики для получения масок с заданным профилем штриха. Все эксперименты выполнены для пленок из фоторезиста ФП-РН-7 на стеклянной подложке. При использовании изложенной методики получены фоторезистивные маски двух различных видов с периодами 0,4; 0,6 и 0,74 мкм для двух толщин пленки. Отклонение параметров масок от расчетных не превышало 20%.