aМосковский инженерно-физический институт bИнститут прикладной физики АН МССР, Кишинев
Аннотация:
Исследуются возможности построения комбинированных приемно-регистрирующих интегрально-оптических элементов и создания дифракционно-решетчатых структур рельефного типа на поверхности тонкопленочных волноводов на основе халькогенидных аморфных полупроводников системы As–S–Se для целей интегральной оптики. Созданы фотоприемные элементы и устройства ввода излучения и преобразования мод в тонкопленочных волноводах на основе As2S3.