RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 5, страницы 1090–1094 (Mi qe10165)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Фотоприемные элементы и дифракционные решетки рельефного типа в тонких пленках As2S3 для интегральной оптики

A. M. Андриешab, Ю. А. Быковскийab, В. Л. Смирновab, М. Р. Чернийab, А. В. Шмалькоab

a Московский инженерно-физический институт
b Институт прикладной физики АН МССР, Кишинев

Аннотация: Исследуются возможности построения комбинированных приемно-регистрирующих интегрально-оптических элементов и создания дифракционно-решетчатых структур рельефного типа на поверхности тонкопленочных волноводов на основе халькогенидных аморфных полупроводников системы As–S–Se для целей интегральной оптики. Созданы фотоприемные элементы и устройства ввода излучения и преобразования мод в тонкопленочных волноводах на основе As2S3.

УДК: 621.373.826:621.396

PACS: 42.82.+n, 42.80.Lt, 85.60.Gz

Поступила в редакцию: 28.04.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:5, 622–624


© МИАН, 2024