RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 5, страницы 1139–1141 (Mi qe10207)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Краткие сообщения

Радиационный переход J (52P1/2–52P3/2), индуцированный соударениями

Л. С. Ершов, В. Ю. Залесский


Аннотация: Исследована зависимость начального сигнала люминесценции J (52P1/2)→J (52P3/2) + (λ = 1315 нм) от давления и рода буферных газов. Атомы J (52P1/2) (начальные концентрации (0,5–3)·1016 см–3) образовывались в результате фотолиза CF3J (давление 0,01 атм) излучением четвертой гармоники моноимпульсного неодимового лазера (E~0,6 Дж, τ ~2·10–3 с). Люминесценция J (52P1/2) регистрировалась германиевым фотодиодом с постоянной времени (3–4)·10–7 с. При разбавлении CF3J буферными газами Ar, Xe, SF6 наблюдалось возрастание интенсивности люминесценции атомов J (52P1/2), связанное с увеличением вероятности перехода J (52P1/2→52P3/2) вследствие соударений атомов йода с атомами или молекулами буферных газов. Приведена зависимость вероятности исследуемого перехода от рода и давления буферных газов в диапазоне ~0–1 атм. Сделаны оценки сил осциллятора, соответствующих матричным элементам наведенного электрического дипольного момента, обязанного деформации электронных оболочек атомов йода в соударениях.

УДК: 535.337

PACS: 33.50.Dq

Поступила в редакцию: 11.05.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:5, 649–650


© МИАН, 2024