Высокоэффективная фазовая запись голограмм на халькогенидных пленках в области повышенных температур

Обнаружен эффект увеличения чувствительности халькогенидных пленок в области повышенных температур к слабо поглощающемуся свету ($\alpha<10^3$ см${}^{-1}$). Эффект, связанный авторами с термической активацией процесса фотоструктурных превращений, наблюдается в пленках систем $As-S$, $As-S-Se$ и не наблюдается в пленках системы $As-Se$. Показана возможность применения исследованного явления для высокоэффективной записи фазовых голограмм в области температур 100-120 С и не разрушающего считывания при комнатной температуре с помощью излучения одной длины волны ($\lambda=632,8$ или $514,5$ нм).