Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$

Экспериментально исследовано влияние различного вида многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$ с изотипным легированием слоев $Zn$ или $Te$ на пороговую плотность тока лазера поперечной накачкой электронным пучком в интервале энергий 10-40 кэВ. Наилучшие результаты получены на трехслойной структуре $p$-типа проводимости, в которой активный слой расположен между двумя широкозонными слоями и накачка осуществляется через один из них. Наименьшее значение пороговой плотности тока при энергии электронного пучка 40 кэВ составляло 0,08 А/см${}^2$ при $T=85$ К и 1,3 А/см${}^2$ при 300 К.