RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 11, страницы 2261–2298 (Mi qe10290)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Молекулярные ИК лазеры с резонансной лазерной накачкой (обзор)

А. З. Грасюкab, В. С. Летоховab, В. В. Лобкоba

a Институт спектроскопии АН СССР, Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Дан обзор работ по исследованию свойств и особенностей импульсных молекулярных газовых лазеров среднего ИК диапазона с резонансной лазерной накачкой. Изложены физические основы и общие принципы действия таких лазеров. Основное внимание уделено лазерам, генерирующим в диапазоне 600-900 см${}^{-1}$, с использованием в качестве источника накачки $TEA$ $CO_2$-лазера. Рассмотрены условия образования инверсии, принципиальные и практические схемы лазеров в соответствии со следующей классификацией. 1. Возбуждение и инверсия на основной полосе; здесь отмечается перспективность лазера на смеси $NH_3-N_2$, сочетающего высокие эффективность, импульсную и среднюю мощности и перестройку в диапазоне 770-890 см${}^{-1}$. 2. Возбуждение составной полосы (или обертона) с инверсией на “горячей” полосе (на примере лазеров на $CF_4$, $NOCl$, $CF_3J$, $C_2D_2$, $N_2O$ и др.); подробно описан $CF_4$-лазер, его физические основы, практические схемы, основные характеристики. 3. Возбуждение основной полосы, составной или разностной полосы с инверсией на разностной полосе (лазеры на $N_2O$, $CO_2$, $OCS$). 4. Двухфотонное возбуждение (лазеры на $NH_3$, $SF_6$, $CH_3F$). Обсуждаются перспективы развития и области применения лазеров с резонансной лазерной накачкой.

УДК: 621.373.8.029.71

PACS: 42.55.Hq, 42.55.Dk

Поступила в редакцию: 07.02.1980
Исправленный вариант: 22.06.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:11, 1317–1338

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024