Влияние толщины активной области на температурную зависимость порогового тока в гомолазерах

Приведен расчет температурной зависимости порогового тока (ТЗПТ) с учетом потерь, вызванных утечкой электронов из активной области гомолазеров. В расчете использовалась экспоненциальная модель плотности верхних состояний. Показано, что ТЗПТ зависит от степени пространственного перекрытия полем (с параметром $S$) области инжекции носителей (с параметром $L$), характеризуемой величиной $R=S/\pi L$. Если $R\ll1$, то ТЗПТ приближается к степенной функции, а при $R>1$ ТЗПТ имеет сверхэкспоненциальный вид.