RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 7, страницы 1482–1491 (Mi qe10348)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О предельных характеристиках фотохимического $XeO$-лазера

В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, И. В. Погорельский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследована природа внутренних потерь в активной среде фотохимического $XeO$-лазера с накачкой открытым сильноточным электрическим разрядом. Показана возможность повышения удельной эффективности $XeO$-лазера в результате снижения внутренних потерь. Проведен расчет накачки и опре­делена ожидаемая энергия генерации $XeO$-лазера с плоским резонатором. Найден оптимальный состав смеси и пропускание зеркал, при которых энергия генерации в импульсе длительностью $\thicksim10$ мкс должна составить $\thicksim40$ Дж, что соответствует полному КПД лазера $\thicksim0,1$%. Отмечены возможности дальнейшего повышения КПД данного лазера до 0,2% при использовании изотонически чистого ксенона.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.55.Ks

Поступила в редакцию: 20.12.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:7, 853–858

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024