А. А. Каминский, С. Н. Багаев, К. Уеда, А. А. Павлюк, М. Муша, “Самоудвоение частоты непрерывной одномикронной генерации в лазере с полупроводниковой лазерной накачкой на основе сегнетоэлектрического и сегнетоупругого кристалла β'-Gd2(MoO4)3:Nd3+”, Квантовая электроника, 24:8 (1997), 675

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Письма в редакцию

Самоудвоение частоты непрерывной одномикронной генерации в лазере с полупроводниковой лазерной накачкой на основе сегнетоэлектрического и сегнетоупругого кристалла β'-Gd₂(MoO₄)₃:Nd³⁺

А. А. Каминский^a, С. Н. Багаев^b, К. Уеда^c, А. А. Павлюк^d, М. Муша^c

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^c Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokyo, Japan
^d Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Создан новый лазер с самоудвоением частоты генерации на основе ромбического кристалла β'-Gd₂(MoO₄)₃:Nd³⁺.

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Ky, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 05.06.1997