Полупроводниковый лазер с внешним селективным зеркалом на парах 133Cs

В области D₂-линии ¹³³Cs (852,1 нм) получена импульсная генерация полупроводникового лазера с внешним селективным элементом, использующим зеркальное отражение от ячейки с парами цезия. Мощность и ширина спектра генерации при давлении паров 2 мм рт. ст. составили 1 мВт и 5·10^–3 нм соответственно. Исследованы спектральные и временные характеристики излучения лазера при различных давлениях паров цезия. Проанализированы условия, необходимые для существенного увеличения средней мощности генерации. Обсуждается возможность применения лазера с внешней селективно отражающей ячейкой для оптической накачки паров щелочных металлов. С помощью импульсного инжекционного лазера прописаны резонансные линии поглощения рубидия и калия.