RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 11, страницы 2504–2506 (Mi qe10438)

Краткие сообщения

Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку

П. Г. Елисеев, М. Ш. Кобякова, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. Н. Соколов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Получена непрерывная генерация при температуре до $70^\circ C$ в мезаполосковой структуре гетеролазеров с шириной полоски 10 мкм на основе $AlGaAs$ (длина волны 885-845 нм), укрепленных на медном теплоотводе со стороны подложки. Такая конструкция позволяет несмотря на увеличение длины теплоотвода через полупроводник получить тепловое сопротивление не более 40 К/Вт, облегчить монтаж диодов и полностью исключить искажение диаграммы направленности. Минимальный пороговый ток составлял 58 мА при $25^\circ C$, максимальная мощность - до 30 мВт. Ресурсные испытания показали незначительные изменения мощности излучения за 450 ч при $70^\circ C$.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 19.05.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:11, 1464–1465

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024