Динамические голограммы в полупроводниковых кристаллах $(ZnSe)_x-(GaP)_{1-x}$

Впервые проведены исследования процессов динамической голографической записи и стирания информации в новом классе смешанных полупроводниковых кристаллов $(ZnSe)_x-(GaP)_{1-x}$. Показано, что при высоких уровнях возбуждения полупроводников становятся актуальными процессы Оже-рекомбинации, которые существенно ограничивают дифракционную эффективность голограмм на неравновесных носителях и сов­местно с процессами поглощения света свободными носителями приводят к дополнительному разогреву кристаллов и формированию тепловых голограмм.