Влияние внешней оптической обратной связи на переходные процессы в полупроводниковых лазерах

Рассмотрено влияние внешней запаздывающей обратной связи (ОС) на переходные процессы в инжекционных лазерах. Показано, что в зависимости от времени запаздывания ОС можно получить гашение или раскачку релаксационных осцилляций интенсивности излучения лазера. Наиболее эффективное гашение осцилляции происходит при запаздывании ОС на половину периода релаксационных осцилляций, а раскачка – при времени запаздывания ОС, равном периоду осцилляций. Численное решение скоростных уравнений, описывающих процессы в лазерах, с учетом запаздывающей ОС, находится в хорошем согласии с экспериментальными результатами.