О методике получения фоторезистивных решетчатых масок. Ч. II

Изложена методика получения фоторезистивных решетчатых масок на материалах с высоким коэффициентом отражения, например, на $GaAs$ и металле. Для умень­шения коэффициента отражения света от поверхности подложки, между фоторези­стом и высокоотражающей подложкой был использован промежуточный слой $CuO$ определенной толщины. С помощью этой методики на титановых подложках с подслоем $CuO$ получены фоторезистивные маски с периодом 0,6 мкм, глубиной 0,27 мкм и шириной штриха, равной ширине зазора между штрихами. Отличие реальных параметров решетки от расчетных не превышало 20-30%.