О методике измерения коэффициента оптического усиления полупроводниковых материалов

Показано, что широко применяемая методика измерения коэффициента усиления в полупроводниках, основанная на зависимости интенсивности излучения от длины активной области, не является корректной, так как не учитывается выход излучения через поверхность возбужденной области в пассивную часть кристалла.