RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 1, страницы 35–43 (Mi qe10797)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Исследование основных характеристик лазерного проекционного микроскопа

К. И. Земсков, А. А. Исаев, М. А. Казарян, Г. Г. Петраш

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Обсуждается возможность использования активных элементов лазеров с большим усилением в качестве усиливающих элементов в оптических системах. Формулируются требования, которым должны удовлетворять такие активные элементы. Приводятся результаты исследований основных характеристик лазерного проекционного микроскопа, в котором в качестве активного элемента используется активная среда импульсного лазера на парах меди.

УДК: 621.378.9:535.82

PACS: 42.78.Tx, 42.60.-v

Поступила в редакцию: 12.06.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:1, 17–22


© МИАН, 2024