Фотобиологический эффект излучения полупроводникового лазера в ближней ИК области

Исследовано воздействие излучения импульсного полупроводникового лазера на арсениде галия (λ = 890 нм, частота повторения импульсов 666 и 3480 Гц, интенсивность 12 мВт/м²) на скорость роста бактерий E. coli. Обнаружено, что рост культуры ускоряется при дозах облучения бактерий 0,1–1,5 Дж/м², максимальный эффект (отношение числа клеток в облученной и необлученной культурах около 1,7) наблюдается при дозах 0,5–0,8 Дж/м². Эффект не зависит от частоты повторения импульсов при постоянстве других параметров излучения (интенсивность, доза).