aМосковский институт радиотехники, электроники и автоматики bФизический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Рассмотрен современный уровень разработок интегральных оптоэлектронных схем (ИОЭС) на основе полупроводниковых структур GaAlAs/GaAs и GalnAsP/InP. Изложены новые технологии, развитые специально для ИОЭС, Приведены результаты по созданию основных компонентов ИОЭС – лазеров и фотодиодов,
интегрированных с электронными схемами. Описаны оконечные модули световодных систем передачи информации, выполненные в виде ИОЭС.