Инверсная населенность уровней Al XI в лазерной плазме

Экспериментально установлено наличие инверсии на уровнях с n = 4,5 по отношению к уровню n = 3 иона Al XI в рекомбинирующей лазерной плазме на расстояниях ~50–500 мкм от поверхности мишени. Относительная населенность уровней определялась по интенсивностям линий серии переходов 2p–nd Al XI c учетом их самопоглощения. Отношение населенностей уровней 4d и 3d составляет в плотной зоне плазмы с N_l ~10²⁰ см^–3 величину ~1,8, что соответствует инверсии ΔN~10¹⁵ см^–3. Коэффициент усиления в этой области плазмы для линии 3d–4f Al XI (λ ≈ 154 Å) согласно оценкам равен 0,1 см^–1. Определен ход рекомбинации He-подобных ионов Al XI и изменение электронной температуры в зависимости от расстояния до поверхности мишени.