RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 3, страницы 589–594 (Mi qe11009)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов

Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, М. И. Тимошечкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: В кристаллах иттрий-эрбий-алюминиевого граната (ИЭГА) при работе лазера возникают центры окраски (ЦО) под действием света ламп накачки. Исследование неактивированных кристаллов иттрий-алюминиевого граната (ИАГ) показывает, что ЦО не связаны с введением ионов активатора, а присущи самой матрице. Наблюдается два типа ЦО, появление которых определяется условиями выращивания кристаллов. Окрашивание выращенных кристаллов возрастает при облучении лампами накачки. Обнаружена корреляция рассеяния света в кристаллах с интенсивностью поглощения, обусловленной ЦО типа I.

УДК: 535.662

PACS: 61.70.Hb

Поступила в редакцию: 25.07.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:3, 315–318


© МИАН, 2024