Характеристики диффузионных лазерных диодов на основе IпР и lnPxAs1–x

В работе приведены основные характеристики инжекционных лазерных диодов на основе InP и lnP_xAs_1–x при 4,2 и 77 K, а также данные по спектральным, пороговым, мощностным, временным и пространственным характеристикам излучения лазерных диодов в интервале длин волн 900…1100 нм. Наилучшие результаты при 77 K получены для лазеров на основе InP, в которых достигнуты пороговая плотность тока 1,7 кА/см², выходная мощность излучения 16 Вт и КПД 26% .