Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As”, Квантовая электроника, 2:4 (1975), 826

Краткие сообщения

Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As

Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Проведены исследования эффективности ввода излучения GaAs-лазера в пленочный (AlGa) As-волновод в зависимости от параметров призменно-пленочного устройства связи. Экспериментально осуществлен ввод излучения полупроводникового лазера в пленочный полупроводниковый волновод.

УДК: 621.372.8:535

PACS: 42.80.K, 42.80.L

Поступила в редакцию: 11.07.1974
Исправленный вариант: 24.09.1974