RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1050–1054 (Mi qe11195)

Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами

В. И. Билак, Н. Р. Докучаев, А. М. Онищенко, В. А. Пашков, А. И. Петров, М. Ф. Стельмах, Н. П. Черноусов


Аннотация: Описывается работа ОКГ с активным элементом из иттрий-алюминиевого граната, легированного ионами Nd3+, при возбуждении излучением импульсных инжекционных ПКГ на длине волны 0,81 и 0,88 мкм. Накачка осуществлялась в торец активного элемента. При комнатной температуре пороги генерации для кристаллов размерами Ø1×20 мм и Ø2×20 мм составляли 1·10–4 и 3,7·10–4 Дж соответственно. В экспериментах получено двухкратное превышение над порогом. Генерация ионов Nd3+ носила пичковый характер, длительность пичка не превышала 1 мкс, мощность в пичке достигала 100 мВт.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.60.G

Поступила в редакцию: 20.01.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:5, 572–574


© МИАН, 2024