RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 1, страницы 203–207 (Mi qe11233)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Ширина линии генерации инжекционных лазеров в квазиодночастотном режиме

В. Н. Морозов, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов, В. Р. Шидловский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано влияние мощности соседних с основной продольных мод резонатора на ширину линии генерации инжекционных лазеров на гетероструктуре GaAlAs с боковым оптическим ограничением. Получено, что ширина линии генерации в стационарном режиме генерации в реальных лазерах лежит в пределах, ограниченных однородным и неоднородным уширением линии усиления. Обнаружено, что при мощности генерации ~ 5 мВт с грани увеличение относительной мощности соседних с основной продольных мод генерации до 10 % может привести к уширению линии вплоть до "неоднородного" предела. Наблюдаемые результаты объясняются с помощью пространственного выжигания инверсии вдоль оси резонатора.

УДК: 678.535

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Pk, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 18.03.1986
Исправленный вариант: 29.10.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:1, 129–132

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024