Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488

Краткие сообщения

Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP

Л. М. Долгинов^ab, А. Е. Дракин^ab, П. Г. Елисеев^ab, Т. В. Бердникова^ab, М. Г. Мильвидский^ab, В. П. Орлов^ab, Ю. К. Пантелеев^ab, Б. Н. Свердлов^ab, Е. Г. Шевченко^ab

^a Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы планарные светодиоды на основе двусторонней гетероструктуры InP-GalnPAs-InP, излучающие в спектральном интервале 1–1,3 мкм. Наибольшее значение выходной мощности излучения при токе 50 мА составило 15 мВт, что соответствует эффективности преобразования по мощности 28%. Этот результат свидетельствует о том, что внутренний квантовый выход электролюминесценции в четверном растворе GalnPAs близок к единице и что подложка из InP достаточно прозрачна для обеспечения увеличения внешней эффективности светодиода за счет многократного переизлучения в слое GalnPAs гетероструктуры.

УДК: 621.315

PACS: 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 21.07.1978