RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 1, страницы 45–48 (Mi qe1134)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением

С. В. Гарновa, С. М. Климентовa, В. И. Коновb, Т. В. Кононенкоb, Ф. Даусингерc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institut für Strahlwerkzeuge, Universität Stuttgart, Germany

Аннотация: Измерение скоростей лазерного травления различных материалов интенсивным (до 1014 Вт/см2) импульсным излучением продемонстрировало существенное снижение эффективности травления при формировании глубоких аблированных каналов. Измерены оптические характеристики образующегося плазменно-парового факела. На основании этих измерений и численных оценок предложены два возможных физических механизма дополнительной экранировки, вызванной взаимодействием со стенками канала: ограничение радиального разлета плазмы и увеличение ее плотности за счет испарения материала стенок переизлучением плазменной области.

PACS: 42.62.Cf, 52.40.Hf, 52.40.Nk

Поступила в редакцию: 01.08.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:1, 42–45

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024