RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 5, страницы 1080–1084 (Mi qe11355)

Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs

Р. Алтынбаевabc, Л. М. Долгиновabc, Л. В. Дружининаabc, П. Г. Елисеевabc, И. Исмаиловabc, Н. Шохуджаевabc

a Физико-технический институт им. С. У. Умарова, АН Тадж. ССР, Душанбе
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
c Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведены исследования спектральных, пороговых, мощностных и временных характеристик лазерных диодов с плоской и полосковой геометрией на основе двойных гетероструктур в системе твердых растворов AlxGa1–xAs. Гетеролазеры с молярной долей арсенида алюминия в активной области 0,2 имели пороговые плотности тока 0,9 кА/см2 при 77 K и 6 кА/см2 при 300 K. Показана зависимость пороговых плотностей тока в гетеролазерах от состава твердого раствора в активной области. Выходная мощность излучения достигала 8,2 Вт при 77 K и 3,6 Вт при 300 K, при этом дифференциальная эффективность была 0,5 и 0,22 соответственно. В полосковых гетеролазерах выходная мощность в импульсе составляла 0,75 Вт, а дифференциальная эффективность 0,26 при 77 K. В исследованных гетеродиодах проведены оценки времен жизни электронно-дырочных пар в режиме спонтанного и когерентного излучений при 77 и 300 K.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 12.11.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:5, 577–579


© МИАН, 2024