Фоторефрактивные решетки в кристалле CdTe:Fe, записанные наносекундными лазерными импульсами

Исследованы фоторефрактивные решетки в кристалле CdTe, легированном Fe, записанные наносекундными лазерными импульсами. Показано, что в данном кристалле, который характеризуется повышенной подвижностью электронов (μ_e = 1500 см²/В·с), наблюдается быстрый фоторефрактивный эффект при импульсной накачке (λ = 1.06 мкм, τ_p = 10 нс) с максимальным коэффициентом усиления Γ = 0.3 см^–1. На основе полученных ориентационных зависимостей коэффициента усиления, а также зависимостей коэффициента усиления от периода решеток и от интенсивности записывающего излучения рассчитаны дебаевская длина экранирования, эффективная концентрация центров захвата носителей и другие параметры исследованного кристалла, в том числе коэффициент двухполярной проводимости, учитывающий конкуренцию неосновных носителей заряда.