RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1409–1414 (Mi qe11421)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Импульсная генерация в парах бериллия

В. В. Жуков, В. Г. Ильюшко, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет

Аннотация: Показана возможность существования инверсии на ряде переходов в спектре Be II. Экспериментально получена генерация на ионных переходах бериллия: 4F–3D с λ = 467,5 нм, 4S–3Р с λ = 527,2 нм и ЗР–3S с λ = 1209,6 нм в послесвечении импульсного разряда. Установлено, что накачка лазерных уровней осуществляется за счет перезарядки ионов гелия или неона на атомах бериллия, а также за счет рекомбинации двухкратных ионов бериллия. Показано, что значительное влияние на существование инверсии и характеристики генерации оказывают неупругие удары медленных электронов.

УДК: 621.378.325:621.359.3

PACS: 42.60.C

Поступила в редакцию: 22.11.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:7, 757–760


© МИАН, 2024