RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 285–288 (Mi qe11468)

Лазеры

О гарпунном канале образования эксимерных молекул в электроразрядном XeCl-лазере

Е. Б. Гордон, В. Г. Егоров, В. Т. Михкельсоо, С. Е. Наливайко, В. С. Павленко, В. Э. Пеэт, А. Б. Трещалов

Институт химической физики АН СССР, Черноголовка, Моск. обл.

Аннотация: Экспериментально выявлен гарпунный канал образования эксимерных молекул XeCl* и изучены некоторые его особенности при электроразрядном возбуждении смесей Cl2–Хе–He в камере стандартного эксимерного лазера ЭЛИ. Изучены временные зависимости спонтанного излучения молекул XeCl* и коэффициентов усиления и поглощения в зависимости от давлений Cl2 и Хе. Исследование показало, что, во-первых, гарпунный канал образования молекул XeCl* доминирует над ионно-рекомбинационным по крайней мере на фронте импульса разряда, причем роль его усиливается то мере уменьшения энерговклада, и, во-вторых, отсутствует дополнительное по сравнению со стандартными смесями на основе HCl, поглощение, не считая поглощения, обязанного присутствию Cl2.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 33.80.-b, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 01.07.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:2, 180–182

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024