Разогрев электронов в инжекционном полупроводниковом лазере

На основе известной модели квантовых переходов в инжекционном лазере получены зависимости температуры ансамбля неравновесных электронов от уровня тока инжекции в непрерывном и импульсном режимах. Показано, что при накачке лазера импульсами тока достаточно малой длительности (десятки наносекунд) имеется заметный «отрыв» температуры электронов от температуры кристаллической решетки, возрастающий с увеличением амплитуды импульсов. При этом линия генерации, определяемая спектральным положением максимума оптического усиления, перестраивается в коротковолновую сторону, в отличие от обычной перестройки в длинноволновую сторону, наблюдаемой при накачке постоянным током или импульсами достаточно большой длительности (более 100 нс). Указанные закономерности подтверждены экспериментом с гомолазером из арсенида галлия.