Аннотация:
Изучен режим одномодовой генерации в полупроводниковом лазере на основе GaAsInP–InP с внешним дисперсионным резонатором. Показано, что инжекционный лазер с дифракционной решеткой является перспективным источником, на базе которого могут быть созданы передающие модули для ВОЛС.