RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 183–186 (Mi qe1161)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Импульсный отклик МПМ-фотодиода при большой энергии оптического излучения

С. В. Аверинa, Ю. В. Гуляевb, М. Илегемсc, Р. Сашоc

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва
c Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Federal Institute of Technology, Lausanne, Switzerland

Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются эффекты, связанные с перераспределением внутреннего электрического поля под действием пространственного заряда, обусловленного неравномерной скоростью разделения фотогенерированных носителей при больших энергиях оптического возбуждения МПМ-фотодиода. Это приводит к заметному искажению сигнала импульсного отклика приемника и снижению его широкополосности и эффективности. Определены условия, при которых влияние экранирования внутреннего электрического поля на форму сигнала отклика МПМ-фотодиода несущественно.

PACS: 42.79.Pw, 85.60.Dw

Поступила в редакцию: 11.09.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:2, 175–178

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024