RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 7, страницы 1471–1477 (Mi qe11665)

Эта публикация цитируется в 28 статьях

Излучательные и безызлучательные переходы Er3+ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах

Т. Т. Басиев, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, Б. П. Стариков, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведено исследование вклада излучательных и безызлучательных переходов в дезактивацию верхних лазерных уровней 4S3/2, 4I11/2, 4I13/2 иона Er3+ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах и выяснены оптимальные концентрации активатора с точки зрения концентрационного тушения люминесценции. Из сравнения коэффициентов Эйнштейна, определенных из соответствующих интегральных коэффициентов поглощения, с наблюдаемыми при комнатной температуре временами жизни уровней 4I11/2 и 4I13/2 установлено, что квантовый выход с уровня 4I13/2 с точностью до экспериментальной ошибки равен единице, а с уровня 4I11/2 он не превышает 0,017, однако возможность применения больших концентраций активатора делает лазер, работающий на переходе 4I11/24I13/2, достаточно эффективным.

УДК: 535.373.2

PACS: 71.55.Ht

Поступила в редакцию: 24.11.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:7, 796–799


© МИАН, 2024