Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации

Исследовано пространственное разрешение при записи светом массивов информации на сплошном электроде МНОП-структуры. Получено разрешение по фотоэлектрическому считыванию – 10 мкм. Установлено, что при записи на сплошном электроде разрешение отсутствует. Показана принципиальная возможность записи на МНОП-структурах с разрешением не хуже 10 мкм при нанесении на структуру дополнительной диэлектрической сетки. Представлены экспериментальные результаты записи 6 бит информации точками.