Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIn1–xAsyP1–y и AlxGa1–xSbyAs1–y

Созданы и изучены гетероструктуры двустороннего типа на основе четырехкомпонентных твердых растворов Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y (λ = 1,02 мкм) и Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y (λ = 0,945 мкм). В первой системе проблема совместимости решеток решена путем рассчитанного добавления Ga и As к InP, при котором период решетки не изменяется (вследствие противоположного влияния этих примесей). Для широкозонных областей использовался фосфид индия. Это первый пример лазерной гетероструктуры, основанной не на взаимозамещении Аl и Ga, как в гетеролазерах прежних типов и во второй изученной гетероструктуре (Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y).