RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 4, страницы 746–749 (Mi qe11767)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Условия усиления света плазменной нитью, формируемой в каустике аксикона при оптическом пробое газа

А. В. Боровскийab, В. В. Коробкинab, Л. Я. Полонскийab, Л. Н. Пятницкийab, М. И. Увалиевab

a Институт высоких температур АН СССР, Москва
b Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены условия формирования длинной тонкой нити многозарядной плазмы в каустике аксикона при оптическом пробое газа, а также условия получения усиления света в такой нити. Проведены оценки энергии и длительности импульса греющего лазера, необходимого для ионизации и нагрева плазмы. Для ионов C VI и He ll очерчена область электронных концентраций и температур, в которой коэффициент усиления может превышать 1 см– 1.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.38.Hb, 42.50.Gy, 52.80.-s, 52.50.Jm, 52.25.-b, 42.79.Bh

Поступила в редакцию: 28.07.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:4, 476–478

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024