RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 308–314 (Mi qe1195)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Элементы лазерных установок

Мощные высокоэффективные KrF-лампы с возбуждением скользящим и барьерным разрядами

В. М. Борисов, В. А. Водчиц, А. В. Ельцов, О. Б. Христофоров

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: Исследованы характеристики KrF-ламп с различными режимами возбуждения скользящего (СР) и барьерного (БР) разрядов при использовании в качестве материала диэлектрика сапфира. Определены условия, при которых достигается экстремально высокий выход флуоресценции KrF* (внутренняя эффективность) ηin ≈ 30 и 22% для импульсных СР и БР соответственно. Показано, что однородная форма СР сохраняется без продува газа при частоте следования импульсов 5·104 Гц. При квазинепрерывном возбуждении СР около атмосферного давления получена близкая к граничной по кинетике газовой среды плотность мощности флуоресценции KrF* около 80 Вт/см3. Установлено, что при долговременном возбуждении ограничение интенсивности УФ излучения определяется допустимым нагревом газа до определенной температуры, свыше которой происходит резкое уменьшение времени жизни фторсодержащей газовой смеси. Это определяет преимущества применения СР, характеризующегося высокой теплопроводностью тонкого (~0.2 мм) слоя плазмы на поверхности охлаждаемого диэлектрика, при создании мощных высокоэффективных KrF- и ArF-ламп с интенсивностью УФ излучения до 1 Вт/см2.

PACS: 42.72.Bj, 33.50.Dq, 52.80.Tn

Поступила в редакцию: 08.12.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:4, 297–303

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024