Ю. А. Акимов, Е. Б. Бендовский, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, Ю. В. Клевков, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Б. М. Степанов, В. А. Чапнин, “Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и PbxSn1–xSe”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2302

Краткие сообщения

Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и Pb_xSn_1–xSe

Ю. А. Акимов, Е. Б. Бендовский, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, Ю. В. Клевков, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Б. М. Степанов, В. А. Чапнин

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Сообщается об изготовлении отпаянных полупроводниковых квантовых генераторов с электронным возбуждением на основе InAs и Pb_xSn_1–xSe с длиной волны излучения 3,04 и 10,6 мкм и импульсной мощностью 10 Вт и 20 мВт соответственно. Режим работы обоих приборов: длительность импульса 100 нс, частота повторения импульсов 100 Гц.

УДК: 621.378

PACS: 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 21.01.1976