Квантовая электроника,
1998, том 25, номер 4, страницы 358–360
(Mi qe1205)
|
Эта публикация цитируется в
4 статьях
Управление параметрами лазерного излучения
Влияние поляризации накачки на характеристики излучения кольцевого Nd:YAG-чип-лазера
Р. В. Гойдинa,
В. С. Кичукb,
Н. В. Кравцовb,
Г. Д. Лаптевa,
Е.Г. Ларионцевb,
В. В. Фирсовb a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
Аннотация:
Впервые экспериментально обнаружена зависимость порога генерации, мощности, спектра и азимута поляризации излучения кольцевого Nd:YAG -чип-лазера от азимута линейной поляризации излучения накачки. Предпринята попытка качественного объяснения зависимости порога генерации кольцевого чип-лазера от азимута поляризации излучения накачки.
PACS:
42.55.Rz,
42.55.Xi,
42.60.Jf Поступила в редакцию: 11.12.1997
© , 2024