Вклад термоупругих напряжений в dn/dT кристаллов гексагональной и тригональной симметрии, нагретых излучением лазера

Получены аналитические выражения для термоупругих напряжений и рассчитано изменение показателя преломления, определяемое термонапряжениями для кристаллов гексагональной и тригональной симметрии при их локальном нагреве лазерным лучом, распространяющимся вдоль оптической оси кристаллов. Приведены численные оценки для кристаллов LiNbO₃ z-среза, которые часто используются в качестве модуляторов излучения. Показано, что возникающие термоупругие напряжения для LiNbO₃ увеличивают dn/dT, измеренный при однородном нагреве, на 47%.