RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 3, страницы 526–531 (Mi qe12174)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектральные свойства резонансной четырехфотонной параметрической генерации

Г. М. Барыкинский, В. В. Лебедев, В. М. Плясуля

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследованы спектральные свойства четырехфотонной параметрической генерации, когда частота генерируемого поля перестраивается вблизи резонансной линии атома. В эксперименте осуществлялся процесс генерации ω4 = ω1ω2+ω3 типа когерентного антистоксова рассеяния в парах таллия. Бигармоническая накачка обеспечивала резонансное возбуждение двухфотонного перехода 6P1/2–6P3/2 на частоте ω1ω2. Измерялась мощность генерации при перестройке частоты ω3 вблизи частоты перехода 6P3/2–7D3/2 при различных давлениях паров таллия. Показано, что спектральные свойства резонансной параметрической генерации сильно зависят от концентрации атомов рабочего вещества, а также от различных эффектов насыщения.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.65.Cq, 32.80.Kf

Поступила в редакцию: 15.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:3, 312–314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024